解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰

源極∕汲極是電晶體的接觸電極，用來引入與移除載子（carriers）於電晶體的傳導通道。傳統的CMOS技術，利用金屬導體（MS）接觸特性，在金屬側具有過渡金屬矽化物（例如鎳矽化物），得以形成源極∕汲極的接觸電子。另一種普遍方式，是利用自對準矽化物製程，稱為SALICIDE，讓矽化物覆蓋在整個源∕汲極表面。但隨著電晶體尺寸的縮小，與接觸面積成反比的源極∕汲極處的接觸電阻，則會相應地增加。