我國寬能隙半導體氮化鎵於微波射頻領域投入分析

氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體材料，具有比砷化鎵（GaAs）與磷化銦（InP）等半導體材料更大的輸出功率；而在同樣為寬能隙材料的碳化矽相比或是以基於矽材料技LDMOS（橫向擴散MOS技術），其頻率特性更好，由於這些特點，使得該材料應用於微波射頻市場之前景看好，目前各國皆看好該材料在此領域的發展並加速投入。反觀國內，通過盤點可發現我國在氮化鎵材料相關整體研究投入，主要在於光電應用，而微波射頻領域的投入最少，僅占總投入的5.9%，而近五年相關投入漸增，但仍僅占全部投入的10.3%。