創新FDSOI能帶調製元件雙接地層Z2FET

今天，全耗盡型絕緣層上矽（FDSOI）CMOS技術因超高開關速度、超低功耗（ULP）和適中的成本而引起業界廣泛的關注。在這種情況下，物聯網（IoT）和射頻用超薄體矽BOX層（UTBB）元件預計達數十億個。這項先進技術有很多特點。超薄元件將會受益於可調閾壓值、低洩漏電流和優化的寄生電容、遷移率和亞壓值斜率（SS）。