電接枝技術助益3D TSV製程

3D製程正持續發展，作為堆疊晶片之間的一種電子互連技術， 矽通孔（TSV）能為訊號提供比傳統焊線更短的傳輸路徑。此外，TSV還能實現更多的輸入／輸出（I／O）。TSV的直徑和縱橫比可以實現更高的密度，因此這項技術能用比打線接合更低的功耗來實現性能提升。對3 D 矽通孔來說， 金屬沉積製程有什麼作用和重要性？aveni執行長Bruno Morel表示，金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵製程之一。