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元件封裝3D互連技術創新步伐,針對表徵和控制晶圓接合極度薄化的在線量測
作者 M. Liebens (M. Liebens)A. Jourdain (A. Jourdain)J. De Vos (J. De Vos)T. Vandeweyer (T. Vandeweyer)A. Miller (A. Miller)E. Beyne (E. Beyne)S. Li (S. Li)G. Bast (G. Bast)M. Stoerring (M. Stoerring)S. Hiebert (S. Hiebert)A. Cross (A. Cross)
中文摘要
元件封裝技術的創新步伐從未如今日這般高速並且有趣。以往的資訊是經由導線傳送,而近年來,各種3D互連技術在封裝中直接將構件相連接。隨著3D互連密度呈指數級別的增長,線寬需要微縮至5μm或者更低(窄)。然而,目前的3D-SIC(3D堆疊IC)的互連技術並不能支持這樣高的密度。如圖1所示,通過並行的晶圓前段製程,並結合晶圓到晶圓(W2W)接合和極度晶圓薄化步驟,以及採用3D-SOC(3D系統晶片)整合技術方案,則可以讓3D互連密度提升。
起訖頁 90-95
刊名 CTIMES:零組件雜誌  
期數 201711 (313期)
出版單位 CTIMES(遠播資訊股份有限公司)
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