離子植入機保養時氫化物外洩之調查

半導體，簡言之就是導電能力介於導體與非導體之間的一種材料，其導電能力除決定於本身材質的能隙（Energy Gap）特性外，外來雜質（Dopant）亦可使半導體的電性發生變化，以四價矽為例，若矽中含有少量五價磷，磷將可提供電子使原本矽的導電性增加而形成N型半導體，若加入三價硼則形成電洞而成為P型半導體，目前越大型積體電路（Very Large Scale Integration，VLSI）的製程主要參雜（Doping）技術，包括傳統式的擴散法（Diffusion），及比較先進的離子植入法（Ion Implantation）等，此處主要討論離子植入法，此方法的進行方式是將雜質以離子形式藉由提昇它的能量或動能，直接將其打入矽裡面，通常以電漿（Plasma）產生製程所需的離子，利用電場加速離子運動速度及磁場改變運動方向，最後將離子植入晶圓中，本文針對離子值入法所使用機台進行預防保養（Preventative Maintenance，PM）時，對人體造成危害的氫化物之種類、來源、作業人員暴露情況，由回顧文獻中加以整理供相關從業人員參考。