延續矽晶未來，先進研究露曙光

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篇名	延續矽晶未來，先進研究露曙光
作者	范眠
中文摘要	半導體製程微縮已近尾聲，儘管研究人員運用超薄SOI、high-k閘極電介質、雙閘CMOS、三維FinFET等各種技術，一般認為矽晶CMOS將於2020年微縮至10至7奈米，便真正面臨極限。那麼，2020年後的半導體產業將會是甚麼樣貌？除了蓋18吋超大晶圓廠、發展3D IC技術外，還有甚麼樣的可能性？
起訖頁	34-36
刊名	CTIMES：零組件雜誌
期數	201301 (255期)
出版單位	CTIMES（遠播資訊股份有限公司）
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