在MgO緩衝層以射頻濺鍍法製備La(feb0)Ga(8fa3)SiO(fed8)薄膜與特性之研究

Preparation and Characterization of Thin La3Ga5SiO14 Films on MgO Buffer Layers by RF Sputtering

La3Ga5SiO14（LGS）是一具有高機電耦合係數與幾近於零溫度延遲係數的新非鐵電型的壓電材料。在本研究中嘗試使用射頻磁束濺鍍法以具有化學計量比的LGS 多晶靶材來製備此新型材料。在矽基板與MgO 緩衝層上即時沉積後的薄膜呈現一非晶質結構，均必須經過退火處理方可使其結晶化，在矽基板上需使用1200°C 退火溫度，而在MgO 緩衝層上則可降低至1100°C。本研究並同時偵測出LGS 薄膜具有光致發光的現象，在使用381nm 為激發光源下，可以發出具有429nm 的藍光，並同時發現光致發光與結晶化的程度是有一定的關係。